Imprimir página
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E2G32D4DE-046 WT:C
Código de encomenda3935602
Ficha técnica
948 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 55,540 € |
| 5+ | 52,760 € |
| 10+ | 48,710 € |
| 25+ | 44,760 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
55,54 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E2G32D4DE-046 WT:C
Código de encomenda3935602
Ficha técnica
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-25°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Descrição geral do produto
MT53E2G32D4DE-046 WT:C is a LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16,32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- Up to 8.5GB/s per die x16 channel, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 200-ball TFBGA package
- Operating temperature rating range from -25°C to +85°C
Especificações Técnicas
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
2G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-25°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002049