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BAV199W,115
Small Signal Diode, Dual Series, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 10 semana(s)
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| Quantidade | |
|---|---|
| 500+ | 0,0635 € |
| 1500+ | 0,057 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 500
Vários: 5
36,75 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBAV199W,115
Código de encomenda8734615RL
Ficha técnica
Diode ConfigurationDual Series
Repetitive Peak Reverse Voltage85V
Average Forward Current110mA
Forward Voltage Max1.25V
Reverse Recovery Time3µs
Forward Surge Current4A
Operating Temperature Max150°C
Diode Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
Diode MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
BAV199W,115 is an epitaxial, medium-speed switching, double diode in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The diodes are connected in series. It is ideal for low-leakage current applications in surface-mounted circuits.
- Reverse voltage is 75V max at Tj=25°C
- Repetitive peak reverse voltage is 85V max at Tj=25°C
- Repetitive peak forward current is 500mA max at Tj=25°C
- Forward voltages 0.9V max at IF=1mA; Tj=25°C
- Diode capacitance is 2pF typ at VR=0V; f=1MHz; Tj=25°C
- Total power dissipation is 250mW max at double diode loaded; Tsp=90°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Especificações Técnicas
Diode Configuration
Dual Series
Average Forward Current
110mA
Reverse Recovery Time
3µs
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Repetitive Peak Reverse Voltage
85V
Forward Voltage Max
1.25V
Forward Surge Current
4A
Diode Case Style
SOT-323
Diode Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000045