Imprimir página
BC856BS,115
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 65 V, 100 mA
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
5.823 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 500+ | 0,0538 € |
| 1500+ | 0,0449 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 500
Vários: 5
31,90 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteBC856BS,115
Código de encomenda2069530RL
Ficha técnica
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP65V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
BC856BS,115 is a PNP/PNP general-purpose transistor pair in a very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
- Low collector capacitance
- Low collector-emitter saturation voltage
- Closely matched current gain
- Reduces number of components and board space
- No mutual interference between the transistors
- DC current gain: 270 at VCE=-5V, IC=-10µA
- Transition frequency is 100MHz min at VCE=-5V; IC=-10mA;f=100MHz
- Noise figure is 1.6dB typ at VCE=-5V; IC=-0.2mA;RS =2kohm;f=10Hz to 15.7kHz
- SOT363 package
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
65V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000221
Rastreabilidade de produtos