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NSF040120D7A1J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 9,690 € |
| 5+ | 8,620 € |
| 10+ | 7,520 € |
| 50+ | 7,180 € |
| 100+ | 6,750 € |
| 250+ | 6,560 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteNEXPERIA
Nº da peça do fabricanteNSF040120D7A1J
Código de encomenda4719794
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation250W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
54A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
250W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:À espera de confirmação
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000001
Rastreabilidade de produtos