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Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteA3M35TL039-EVB
Código de encomenda3923715
Ficha técnica
Silicon ManufacturerNXP
Silicon Core NumberA3M35TL039
Kit Application TypeWireless Connectivity
Application Sub TypeRF Power Amplifier
Core Architecture-
Core Sub-Architecture-
Silicon Family Name-
Kit ContentsEval Board A3M35TL039
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
A3M35TL039-EVB is a A3M35TL039 3400-3650MHz reference circuit. The A3M35TL039 is a fully integrated Doherty power amplifier module designed for wireless infrastructure applications that demand high performance in the smallest footprint. Ideal for applications in massive MIMO systems, outdoor small cells and low power remote radio heads. The field−proven LDMOS power amplifiers are designed for TDD and FDD LTE systems.
- 7W average power
- Advanced high performance in-package Doherty
- Fully matched (50 ohm input/output, DC blocked)
- Designed for low complexity analogue or digital linearization systems
Especificações Técnicas
Silicon Manufacturer
NXP
Kit Application Type
Wireless Connectivity
Core Architecture
-
Silicon Family Name
-
Product Range
-
Silicon Core Number
A3M35TL039
Application Sub Type
RF Power Amplifier
Core Sub-Architecture
-
Kit Contents
Eval Board A3M35TL039
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.02