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BLF578
RF FET Transistor, 110 V, 88 A, 225 MHz, SOT-539A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteBLF578
Código de encomenda1851687
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds110V
Continuous Drain Current Id88A
Power Dissipation-
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max225MHz
Transistor Case StyleSOT-539A
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Descrição geral do produto
The BLF578 is a 1200W LDMOS Power Transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500MHz band.
- Easy Power Control
- ESD Protection Upto 1.5kV
- Excellent Ruggedness
- High Efficiency
- Excellent Thermal Stability
Aplicações
Industrial, Medical, Signal Processing, Communications & Networking
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
110V
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
225MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
88A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-539A
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.021339