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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricante4N35S-M
Código de encomenda1021179
Ficha técnica
No. of Channels1 Channel
Optocoupler Case StyleSurface Mount DIP
No. of Pins6Pins
Forward Current If Max60mA
Isolation Voltage7.5kV
CTR Min100%
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
The 4N35S-M is a 6-pin general purpose Phototransistor Optocoupler consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor. It is suitable for digital logic inputs and microprocessor inputs.
- 850V Maximum working insulation voltage
- 6000V Highest allowable over-voltage
- -40 to +100°C Operating temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Optocoupler Case Style
Surface Mount DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
100%
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001123
Rastreabilidade de produtos