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BC847BPDW1T1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, SOT-363
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| 500+ | 0,0482 € |
| 1000+ | 0,0376 € |
| 5000+ | 0,0316 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteBC847BPDW1T1G
Código de encomenda1653701
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max45V
Transition Frequency100MHz
Power Dissipation380mW
Continuous Collector Current100mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN, PNP
Transition Frequency
100MHz
Continuous Collector Current
100mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
45V
Power Dissipation
380mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BC847BPDW1T1G
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.09
Rastreabilidade de produtos