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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 4,960 € |
| 10+ | 4,370 € |
| 100+ | 2,590 € |
| 500+ | 2,190 € |
| 1000+ | 2,150 € |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDA28N50
Código de encomenda3368719
Gama de produtosUniFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.122ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.122ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002
Rastreabilidade de produtos