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Quantidade | |
---|---|
5+ | 1,240 € |
50+ | 0,919 € |
100+ | 0,680 € |
500+ | 0,544 € |
1000+ | 0,475 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
6,20 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDS4935A
Código de encomenda1467981
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
Aplicações
Industrial, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000335
Rastreabilidade de produtos