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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDU6N50TU
Código de encomenda3616191
Gama de produtosUniFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.76ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation89W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
89W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.76ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (19-Jan-2021)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.1