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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteH11G2SR2M
Código de encomenda2322528
Ficha técnica
No. of Channels1 Channel
Optocoupler Case StyleSurface Mount DIP
No. of Pins6Pins
Forward Current If Max60mA
Isolation Voltage7.5kV
CTR Min500%
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
H11G2SR2M is a photo darlington-type optically coupled optocoupler. The device has gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics. Typical applications include CMOS logic interface, telephone ring detector, low input TTL interface, power supply isolation and replace pulse transformer.
- High BVCEO 80V minimum
- High sensitivity to low input current (minimum 500% CTR at IF = 1mA)
- Low leakage current at elevated temperature
- UL1577, 4170VACRMS for 1min
- DIN-EN/IEC60747-5-5, 850 V peak working insulation voltage
Especificações Técnicas
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Optocoupler Case Style
Surface Mount DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
500%
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000907
Rastreabilidade de produtos