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MC1413BDR2G
TRANSISTOR ARRAY, NPN, 1.1V, SOIC
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13.084 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,317 € |
| 500+ | 0,281 € |
| 1000+ | 0,270 € |
| 2500+ | 0,243 € |
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Mínimo: 100
Vários: 5
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Descrição geral do produto
The MC1413BDR2G is a NPN high current Darlington Bipolar Transistor Array suitable for driving lamps, relays or printer hammers in a variety of industrial and consumer applications. It has high breakdown voltage and internal suppression diodes insure freedom from problems associated with inductive loads. Peak inrush currents to 500mA permit them to drive incandescent lamps. The device with a 2.7kΩ series input resistor is well suited for systems utilizing a 5V TTL or CMOS logic.
- High voltage
- -40 to 85°C Operating ambient temperature range
Aplicações
Lighting, Power Management, Consumer Electronics, Industrial
Especificações Técnicas
Supply Voltage Min
-
No. of Outputs
7Outputs
Output Current
500mA
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Supply Voltage Max
3V
Output Voltage
50V
Driver Case Style
SOIC
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Alternativas para MC1413BDR2G
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000324
Rastreabilidade de produtos