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MJ11032G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pins
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 12,570 € |
| 5+ | 11,350 € |
| 10+ | 10,120 € |
| 50+ | 10,050 € |
| 100+ | 9,010 € |
| 250+ | 8,830 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMJ11032G
Código de encomenda1611191
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo120V
Power Dissipation Pd300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-204
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE400hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The MJ11032G is a NPN Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
- High DC current gain
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor
Aplicações
Audio
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
300W
RF Transistor Case
TO-204
DC Current Gain hFE
400hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
120V
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Mexico
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Mexico
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.013835
Rastreabilidade de produtos