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500+ | 0,0726 € |
1500+ | 0,0678 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMSD301T1G
Código de encomenda2463432
Gama de produtosMMSD3
Ficha técnica
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage30V
Forward Current200mA
Forward Voltage600mV
Diode Capacitance0.9pF
Diode Case StyleSOD-123
No. of Pins2 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max125°C
Product RangeMMSD3
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.
- Extremely low minority carrier lifetime
- Very low capacitance
- Low reverse leakage
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
Aplicações
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial
Especificações Técnicas
Diode Configuration
Single
Forward Current
200mA
Diode Capacitance
0.9pF
No. of Pins
2 Pin
Operating Temperature Max
125°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Reverse Voltage
30V
Forward Voltage
600mV
Diode Case Style
SOD-123
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
MMSD3
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMSD301T1G
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos