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MMUN2233LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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940.842 Em Stock
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| 5000+ | 0,0175 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMMUN2233LT1G
Código de encomenda1651085RL
Ficha técnica
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R14.7kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation400mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min80hFE
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
MMUN2233LT1G is an MMUN2233L series NPN transistor with a monolithic bias resistor network digital transistor. It is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.
- Simplifies circuit design, reduces board space, reduces component count
- Collector-base voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector-emitter voltage is 50VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Collector current - continuous is 100mAdc max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input forward voltage is 30VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Input reverse voltage is 5VDC max (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- Total device dissipation is 230mW max (TA = 25°C)
- DC current gain is 200 (IC = 5.0mA, VCE = 10V, TA = 25°C)
- Input resistor range from 3.3 to 6.1kohm (TA = 25°C, common for Q1 and Q2)
- SOT-23 package, junction temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
4.7kohm
Transistor Case Style
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
400mW
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para MMUN2233LT1G
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
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Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000008
Rastreabilidade de produtos