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MSA1162GT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Surface Mount
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| 100+ | 0,0416 € |
| 500+ | 0,0309 € |
| 1000+ | 0,0277 € |
| 5000+ | 0,0252 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteMSA1162GT1G
Código de encomenda2724361
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max50V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation200mW
Transistor Case StyleSC-59
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency80MHz
DC Current Gain hFE Min200hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
SC-59
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
200hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
50V
Power Dissipation
200mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
80MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
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1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00007
Rastreabilidade de produtos