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NTH4L060N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L060N065SC1
Código de encomenda3973626
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 8,300 € |
| 5+ | 6,860 € |
| 10+ | 5,420 € |
| 50+ | 5,310 € |
| 100+ | 5,200 € |
| 250+ | 5,090 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L060N065SC1
Código de encomenda3973626
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation176W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
176W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos