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NXH006P120MNF2PTG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Half Bridge, N Channel, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXH006P120MNF2PTG
Código de encomenda3766231
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id304A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00548ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.83V
Power Dissipation950W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
304A
Drain Source On State Resistance
0.00548ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.83V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
950W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.09
Rastreabilidade de produtos