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NXV08V080DB1
MOSFET Transistor, 130 A, 80 V, 3000 µohm, 10 V, 4 V
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXV08V080DB1
Código de encomenda3617527
Seu número de peça
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 13 semana(s)
| Quantidade | |
|---|---|
| 44+ | 17,470 € |
Unidades por pacoteTube of 1
Mínimo: 44
Vários: 44
768,68 € (sem IVA)
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXV08V080DB1
Código de encomenda3617527
Ficha técnica
Channel Type-
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance3000µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
130A
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.1
Rastreabilidade de produtos