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NXV65HR82DS1
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 28,700 € |
| 5+ | 25,270 € |
| 10+ | 21,830 € |
| 50+ | 18,400 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNXV65HR82DS1
Código de encomenda3677747
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.073ohm
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation126W
Power Dissipation Pd126W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
126W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
126W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.5