Imprimir página
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteFDPF10N60NZ
Código de encomenda2575373
Gama de produtosUniFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.64ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage640mV
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternativas para FDPF10N60NZ
2 produtos encontrados
Descrição geral do produto
- Suitable for LCD/LED/PDP TV, lighting and uninterruptible power supply
- Low gate charge (Typ. 23nC)
- 100% avalanche
- Improved dv/dt capability
- ESD improved capability
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
640mV
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.64ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
MSL
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (17-Jan-2022)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.007862