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NJW3281G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Through Hole
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNJW3281G
Código de encomenda2533337
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min45hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
NJW3281G is a complementary NPN Silicon power bipolar transistor for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. Application includes home amplifiers, home receivers (high−end consumer audio products), theatre and stadium sound systems, public address systems (PAs) (professional audio amplifiers).
- Exceptional safe operating area, NPN gain matching within 10% from 50mA to 5A
- Excellent gain linearity, high BVCEO, high frequency, greater dynamic range
- Reliable performance at higher powers, accurate reproduction of I/P signal, high amplifier bandwidth
- Symmetrical characteristics in complementary configurations
- DC current gain is 75 (IC = 100mAdc, VCE = 5Vdc)
- Collector−emitter sustaining voltage is 250VDC min (TC = 25°C, IC = 100mAdc, IB = 0)
- Collector−emitter voltage is 250VDC (1.5V, TC = 25°C), collector−base voltage is 250VDC (TC = 25°C)
- Collector cutoff current is 50µAdc at (VCB = 250 Vdc, IE = 0)
- Current gain bandwidth product is 30MHz typ (IC = 1ADC, VCE = 5VDC, ftest = 1MHz)
- TO−3P package, operating temperature range from -65 to +150°C
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3P
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
45hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documentação técnica (2)
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1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:South Korea
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0058
Rastreabilidade de produtos