Imprimir página
NTMC083NP10M5L
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
11.637 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,487 € |
| 500+ | 0,404 € |
| 1000+ | 0,367 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 5
53,70 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTMC083NP10M5L
Código de encomenda3787297RL
Ficha técnica
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id4.1A
Continuous Drain Current Id N Channel4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0594ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0594ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Descrição geral do produto
Power, dual N- and P-channel (100V, 83mohm, 4.5A, -100V, 131ohm, -3.6A) MOSFET is typically used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material handling, motor drive and home automation applications.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Not ESD protected
- Low conduction loss, standard footprint
Especificações Técnicas
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0594ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0594ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0001
Rastreabilidade de produtos