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NVBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBG040N120M3S
Código de encomenda4244653
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
1.200 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 13,440 € |
| 5+ | 13,290 € |
| 10+ | 13,130 € |
| 50+ | 12,870 € |
| 100+ | 12,600 € |
| 250+ | 12,340 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVBG040N120M3S
Código de encomenda4244653
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0405ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.22V
Power Dissipation297W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
49A
Drain Source On State Resistance
0.0405ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.22V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
297W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.001
Rastreabilidade de produtos