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NVH4L070N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.0648 ohm, TO-247
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Disponível para Encomenda
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 14,330 € |
| 5+ | 12,280 € |
| 10+ | 10,250 € |
| 50+ | 10,240 € |
| 100+ | 10,230 € |
| 250+ | 10,220 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
14,33 € (sem IVA)
Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L070N120M3S
Código de encomenda4143116
Ficha técnica
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0648ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.37V
Power Dissipation163W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
29A
Drain Source On State Resistance
0.0648ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.37V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
163W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (10-Jun-2022)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00831
Rastreabilidade de produtos