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RMLV0416EGSB-4S2#AA1
SRAM, Asynchronous SRAM, LPSRAM, 4 Mbit, 256K x 16bit, TSOP-II, 44 Pins, 2.7 V
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FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteRMLV0416EGSB-4S2#AA1
Código de encomenda2946681
Ficha técnica
157 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 3,760 € |
| 10+ | 3,510 € |
| 25+ | 3,410 € |
| 50+ | 3,330 € |
| 100+ | 3,250 € |
| 250+ | 3,200 € |
| 500+ | 3,140 € |
| 1000+ | 3,060 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
3,76 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteRMLV0416EGSB-4S2#AA1
Código de encomenda2946681
Ficha técnica
SRAM TypeAsynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Density4Mbit
Memory Configuration256K x 16bit
IC Case / PackageTSOP-II
No. of Pins44Pins
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
Clock Frequency Max-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
SRAM Type
Asynchronous SRAM, LPSRAM
Memory Configuration
256K x 16bit
No. of Pins
44Pins
Supply Voltage Max
3.6V
Clock Frequency Max
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Memory Density
4Mbit
IC Case / Package
TSOP-II
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Taiwan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0004
Rastreabilidade de produtos