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2SB1386T100R
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Surface Mount
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricante2SB1386T100R
Código de encomenda1680123RL
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max20V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation500mW
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency120MHz
DC Current Gain hFE Min82hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The 2SB1386T100R is a -5A PNP low-frequency epitaxial planar Silicon Transistor offers low collector to emitter saturation voltage.
- Excellent DC current gain characteristics
- 2SD2098 Complement
Aplicações
Industrial, Power Management
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
SOT-89
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
82hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
20V
Power Dissipation
500mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
120MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Japan
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000141
Rastreabilidade de produtos