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SCT3160KLGC11
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 5.6 V
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3160KLGC11
Código de encomenda2678788
Também conhecido porSCT3160KLGC11
Ficha técnica
317 Em Stock
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3160KLGC11
Código de encomenda2678788
Também conhecido porSCT3160KLGC11
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation103W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
103W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (2)
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1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Thailand
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.005