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BD912
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Through Hole
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 2,120 € |
| 10+ | 0,998 € |
| 100+ | 0,899 € |
| 500+ | 0,748 € |
| 1000+ | 0,689 € |
| 5000+ | 0,573 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteBD912
Código de encomenda1084576
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation90W
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency3MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BD912 is a silicon epitaxial base NPN Power Transistor. Designed for use in power linear and switching applications.
- 5A Base current
Aplicações
Audio, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
90W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
3MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002649
Rastreabilidade de produtos