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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteBDX53B
Código de encomenda1015775
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,250 € |
| 10+ | 0,586 € |
| 100+ | 0,517 € |
| 500+ | 0,405 € |
| 1000+ | 0,363 € |
| 5000+ | 0,292 € |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteBDX53B
Código de encomenda1015775
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd60W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The BDX53B is a NPN complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar Base Island technology. It offers monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
Aplicações
Industrial, Power Management, Audio
Avisos
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Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
60W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
750hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BDX53B
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.002