Imprimir página
STD26P3LLH6
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD26P3LLH6
Código de encomenda2629747
Gama de produtosDeepGATE STripFET VI
Ficha técnica
26.782 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 dias úteis
Encomendas efetuadas antes das 17h00 com envio padrão
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,330 € |
| 10+ | 0,928 € |
| 100+ | 0,694 € |
| 500+ | 0,541 € |
| 1000+ | 0,469 € |
| 5000+ | 0,403 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,33 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTD26P3LLH6
Código de encomenda2629747
Gama de produtosDeepGATE STripFET VI
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VI
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VI
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos