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STW11NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW11NK100Z
Código de encomenda1468004
Gama de produtosSTW
Ficha técnica
32.964 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 4,000 € |
| 10+ | 3,950 € |
| 100+ | 3,080 € |
| 500+ | 2,730 € |
| 1000+ | 2,720 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
4,00 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTW11NK100Z
Código de encomenda1468004
Gama de produtosSTW
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Descrição geral do produto
The STW11NK100Z is a 1000V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
MSL
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Não
Em conformidade com RoHS Flalatos:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.010433