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TW060Z120C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW060Z120C,S1F(S
Código de encomenda4247125
Também conhecido porTW060Z120C, TW060Z120C,S1F
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 19,930 € |
| 5+ | 19,200 € |
| 10+ | 18,470 € |
| 50+ | 13,120 € |
| 100+ | 12,760 € |
| 250+ | 12,400 € |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW060Z120C,S1F(S
Código de encomenda4247125
Também conhecido porTW060Z120C, TW060Z120C,S1F
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation170W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
170W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00655
Rastreabilidade de produtos