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UF4SC120030K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
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| Quantidade | |
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| 50+ | 15,460 € |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF4SC120030K4S
Código de encomenda4221998
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation341W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
30mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
341W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.008236