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Quantidade | |
---|---|
1+ | 0,685 € |
10+ | 0,470 € |
100+ | 0,320 € |
500+ | 0,243 € |
1000+ | 0,198 € |
5000+ | 0,164 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
0,68 € (sem IVA)
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2319CDS-T1-GE3
Código de encomenda1858942
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
The SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- ±20V Gate-source voltage
Aplicações
Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2319CDS-T1-GE3
4 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000181