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Quantidade | |
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10+ | 0,419 € |
100+ | 0,310 € |
500+ | 0,246 € |
1000+ | 0,216 € |
5000+ | 0,215 € |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI2323CDS-T1-GE3
Código de encomenda2335287
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
The SI2323CDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SI2323CDS-T1-GE3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00005
Rastreabilidade de produtos