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SI4532CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
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| 500+ | 0,277 € |
| 1000+ | 0,248 € |
| 5000+ | 0,196 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSI4532CDY-T1-GE3
Código de encomenda1779268
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.038ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.78W
Power Dissipation P Channel2.78W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The SI4532CDY-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.038ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.78W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.038ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Germany
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0005