Imprimir página
SIS590DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS590DN-T1-GE3
Código de encomenda3765824RL
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
5.330 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 0,560 € |
| 500+ | 0,407 € |
| 1000+ | 0,369 € |
| 5000+ | 0,316 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
61,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSIS590DN-T1-GE3
Código de encomenda3765824RL
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.197ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.197ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23.1W
Power Dissipation P Channel23.1W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Especificações Técnicas
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.197ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23.1W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
4A
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.197ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0005