Imprimir página
SQ1902AEL-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 780 mA, 780 mA, 0.345 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ1902AEL-T1_GE3
Código de encomenda3470701
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
9.570 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,825 € |
| 10+ | 0,515 € |
| 100+ | 0,334 € |
| 500+ | 0,236 € |
| 1000+ | 0,213 € |
| 5000+ | 0,194 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
0,82 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQ1902AEL-T1_GE3
Código de encomenda3470701
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel780mA
Continuous Drain Current Id P Channel780mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.345ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.345ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel430mW
Power Dissipation P Channel430mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
780mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.345ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
430mW
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
780mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.345ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
430mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos