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SQUN702E-T1_GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, N Channel, 200 V, 200 V, 30 A, 30 A, 7700 µohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQUN702E-T1_GE3
Código de encomenda3128862RL
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Disponível para Encomenda
Tempo de Entrega Habitual do Fabricante 26 semana(s)
Contactem-me quando voltar a existir em stock
| Quantidade | |
|---|---|
| 100+ | 1,970 € |
| 500+ | 1,870 € |
| 1000+ | 1,790 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 100
Vários: 1
202,00 € (sem IVA)
Será adicionado um custo de rebobinagem de 5,00 € para este produto
Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSQUN702E-T1_GE3
Código de encomenda3128862RL
Gama de produtosTrenchFET Series
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel200V
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source Voltage Vds P Channel200V
Continuous Drain Current Id30A
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel7700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7700µohm
Transistor Case Style-
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel, N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
7700µohm
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
200V
Drain Source Voltage Vds P Channel
200V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
7700µohm
Transistor Case Style
-
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000242
Rastreabilidade de produtos