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TSFF5210-CS12
Infrared Emitter, High Speed, 870 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 180 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSFF5210-CS12
Código de encomenda2251305
Ficha técnica
Peak Wavelength870nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)180mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
Descrição geral do produto
870nm, GaAlAs double hetero high speed infrared emitting diode. It is suitable for use in Infrared video data transmission between camcorder and TV set, free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1 3/4
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: = ± 10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 24MHz
- Good spectral matching with Si photodetectors
Avisos
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Especificações Técnicas
Peak Wavelength
870nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
180mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
-
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
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Tarifa N.º:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00035