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C2M0280120D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
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| 50+ | 6,830 € |
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Informação do produto
FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteC2M0280120D
Código de encomenda2630831
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation62.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSL-
Descrição geral do produto
Avisos
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Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
10A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
62.5W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentação técnica (2)
Alternativas para C2M0280120D
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Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Philippines
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Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.008657