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CAS175M12BM3
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 228 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, Module
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Informação do produto
FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteCAS175M12BM3
Código de encomenda4258105
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id228A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
228A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para CAS175M12BM3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.345637