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DMN2013UFDE-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 10.5 A, 8400 µohm, U-DFN2020, Surface Mount
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2.825 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
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| 500+ | 0,496 € |
| 1000+ | 0,486 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMN2013UFDE-7
Código de encomenda3680120RL
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StyleU-DFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation2.03W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.5A
Transistor Case Style
U-DFN2020
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.03W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000121
Rastreabilidade de produtos