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Quantidade | |
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1000+ | 0,239 € |
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteDMP3013SFV-7
Código de encomenda3405192RL
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Transistor Case StylePowerDI3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation940mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
DMP3013SFV-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters.
- Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized
- Small form factor thermally efficient package enables higher density end products
- Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±25V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -12A at TA = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is -80A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.94W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 9.5mohm max at VGS = -10V, ID = -11.5A, TA = +25°C
- PowerDI3333-8 (type UX) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PowerDI3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
940mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.004536
Rastreabilidade de produtos