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ZVP2110A
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Through Hole
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,240 € |
| 10+ | 0,851 € |
| 100+ | 0,564 € |
| 500+ | 0,443 € |
| 1000+ | 0,402 € |
| 5000+ | 0,362 € |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVP2110A
Código de encomenda9525955
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Descrição geral do produto
The ZVP2110A is a -100V E-Line P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 8Ω resistance and 700mW power dissipation.
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Automotive
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:China
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000161
Rastreabilidade de produtos