Imprimir página
AUIRF7647S2TR
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Surface Mount
5.130 Em Stock
Precisa de mais?
Entrega EXPRESSO em 1 a 2 dias úteis
Encomende antes das 17h
Entrega padrão GRATUITA disponível
para encomendas superiores a 0,00 €
Os prazos de entrega exatos serão calculados ao finalizar a compra
| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 1,900 € |
| 10+ | 1,560 € |
| 100+ | 1,210 € |
| 500+ | 1,090 € |
| 1000+ | 1,020 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
1,90 € (sem IVA)
Adicionar n.º da peça /Nota da linha
Adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura e à Nota de Envio apenas para esta encomenda.
Este número será adicionado à Confirmação da Encomenda, à Fatura, à Nota de Envio, ao E-mail de confirmação da Web e à Etiqueta do Produto.
Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteAUIRF7647S2TR
Código de encomenda2579954
Gama de produtosHEXFET
Também conhecido porSP001520570
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
Transistor Case StyleDirectFET SC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation41W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
QualificationAEC-Q101
Descrição geral do produto
- Automotive qualified Directed® power MOSFET
- Advanced process technology
- Optimized for class D audio amplifier applications
- Low Rds.(on) for improved efficiency
- Low Qi for better THD and improved efficiency
- Low Qtr. for better THD and lower EMI
- Low parasitic inductance for reduced ringing and lower EMI
- Delivers up to 100W per channel into 8ohm with no heatsink
- Dual sided cooling
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Avisos
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
DirectFET SC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Mexico
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Mexico
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.000454
Rastreabilidade de produtos