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BSC076N06NS3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TDSON, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC076N06NS3GATMA1
Código de encomenda2443422
Também conhecido porBSC076N06NS3 G, SP000453656
Ficha técnica
47.467 Em Stock
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 0,746 € |
| 10+ | 0,667 € |
| 100+ | 0,532 € |
| 500+ | 0,470 € |
| 1000+ | 0,431 € |
| 5000+ | 0,352 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Nota da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteBSC076N06NS3GATMA1
Código de encomenda2443422
Também conhecido porBSC076N06NS3 G, SP000453656
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance7600µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The BSC076N06NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Consumer Electronics, Portable Devices, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para BSC076N06NS3GATMA1
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.0003
Rastreabilidade de produtos