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IMCQ120R053M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMCQ120R053M2HXTMA1
Código de encomenda4695758
Gama de produtosCoolSiC Series
Também conhecido porIMCQ120R053M2H, SP005974969
Ficha técnica
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| Quantidade | |
|---|---|
| 1+ | 8,900 € |
| 5+ | 7,760 € |
| 10+ | 6,620 € |
| 50+ | 6,070 € |
| 100+ | 5,520 € |
| 250+ | 5,410 € |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMCQ120R053M2HXTMA1
Código de encomenda4695758
Gama de produtosCoolSiC Series
Também conhecido porIMCQ120R053M2H, SP005974969
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id43A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0526ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
IMCQ120R053M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 39A at TC = 100°C
- RDS(on) = 52.6mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
43A
Drain Source On State Resistance
0.0526ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
CoolSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
País de origem:
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
País onde se realizou a maior parte do processo de produçãoPaís de origem:Malaysia
País onde se realizou a maior parte do processo de produção
Tarifa N.º:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Em conformidade com RoHS Flalatos:À espera de confirmação
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Transferir certificado de conformidade de produto
Certificado de conformidade de produto
Peso (kg):.00001
Rastreabilidade de produtos